IMT2000용 전력소자 국산화 성공

현재 전량을 수입해 사용하는 이동통신단말기의 전력소자에 비해 수명을 100배 이상 향상시킨 신소재 전력소자가 국내 연구진에 의해 개발돼 양산을 앞두고 있다.

대덕밸리 벤처기업인 한마이크로텍(대표 윤태호 http://www.hanmicro.com)과 한국과학기술원(KAIST) 홍성철 교수팀은 기존 이동통신단말기의 핵심부품인 알루미늄 갈륨 아사나이드(AlGaAs) 계열 이종접합트랜지스터(HBT)에 비해 수명을 100배 이상 향상시킨 「인듐 갈륨 포스파이드(InGaP) HBT 고주파용 전력소자」를 개발, 양산체제를 구축하는 데 성공했다고 5일 밝혔다.

이번에 개발된 전력소자는 차세대이동통신(IMT2000)에 사용이 가능한 3.2V 동작전압에서 최대출력이 1W이며 최대 작동 주파수 70㎓로 기존 AlGaAs 계열 HBT 전력소자의 단점인 짧은 수명과 복잡한 회로처리로 인한 고비용 문제를 고성능·고집적화로 해결, 공정을 간단하게 처리한데다 수명이 기존제품에 비해 100배 가량 향상된 것이 특징이다.

한마이크로텍은 이에 따라 InGaP HBT와 관련한 디바이스 설계 및 공정기술 모두를 확보하고 전력소자 제작에서 가장 어려운 기술인 열특성에 기인한 신뢰성 및 성능저하 문제를 새로운 온도보상구조를 갖는 HBT 소자구조와 공정 제조기술로 극복, 국내외에 특허를 출원했다.

InGaP HBT는 현재 미국과 일본의 몇몇 회사에서 최근 샘플을 제조하고 있으며 2002년 상용화가 예상되는 IMT2000뿐만 아니라 블루투스, 무선 랜, 홈RF, 지능형교통시스템(ITS) 단말기, 무선가입자망(WLL), 4세대 단말기 등에 적용이 가능하다.

윤태호 사장은 『선진국에서도 이 분야 제품 개발에 본격 나서고 있어 2002년까지 AlGaAs HBT 전력소자의 80%정도를 대체할 것으로 예상된다』며 『앞으로 무선통신용 고출력 HBT 소자와 광통신용 핵심소자인 포토디텍터(PD), 레이저다이오드(LD), 근거리통신용 발광디스플레이(LED) 등의 소자와 관련 모듈을 상품화할 계획』이라고 말했다.

<대전＝박희범기자 hbpark@etnews.co.kr>