하이큐텍·성대 권용성교수, 2.5인치 갈륨비소 웨이퍼 국내 첫 개발

전량 수입에 의존해온 갈륨비소(CaAs) 웨이퍼가 국내 벤처기업에 의해 처음 국산화됐다.

9일 하이큐텍(대표 윤영덕)은 권용성 성균관대 물리학과 교수와 공동으로 고진공 전기로를 사용해 화합물 광소자용 2.5인치 갈륨비소 웨이퍼를 개발, 올 8월부터 양산에 들어간다고 발표했다.

갈륨비소 웨이퍼는 발광소자(LED)나 레이저다이오드(LD) 등의 소자로 사용되며 그동안 국산화 시도가 있었으나 기술적 어려움으로 성공한 적이 없었다.

하이큐텍은 화합물반도체 결정 성장방법으로 권 교수가 개발한 「클로즈드(Closed) VGF」방식을 이용해 웨이퍼 결함을 기존 수입품에 비해 3분의 1로 줄였다.

클로즈드 VGF방식은 기존 수직점증냉각(VGF)방식과 달리 몰리브덴 도가니를 사용해 갈륨비소 결정성장중에 생기는 비소 빈자리(As Vacancy)를 최소화하며 온도변화를 ±0.1도로 안정시킬 수 있다.

갈륨비소 웨이퍼의 국내 시장규모는 250억원 정도이나 광디스플레이 분야의 활성화로 매년 50% 이상 성장할 것으로 예상된다.

하이큐텍은 이번 2.5인치 웨이퍼에 이어 올해 말까지 무선통신용 고주파단일집적회로(MMIC)의 소자로 사용하는 4인치 웨이퍼도 개발할 예정이다.

이 회사의 윤영덕 사장은 『내년부터 월 100억원 이상의 매출을 달성할 계획』이라며 『광통신용 소자 국산화를 앞당기겠다』고 말했다.

<김인구기자 clark@etnews.co.kr>