반도체 전공정장비 전문업체인 주성엔지니어링(대표 황철주)은 화학기상증착(CVD) 공정을 한 장비 내에서 처리하는 「유레카(EUREKA) 2000」 시스템을 출품했다.
유레카 2000은 64MD램 이상 고집적 반도체 생산에 대응하는 저압화학증착(LPCVD) 장비로 웨이퍼를 낱장 처리하는 매엽방식(Single Wafer Type)과 온벽타입(Warm Wall Type) 체임버를 이용해 웨이퍼 표면에 폴리실리콘·나이트라이드 등 각종 막을 증착하는 데 사용된다.
이 시스템의 특징은 5개까지의 체임버를 동시 탑재, 저압화학증착(LPCVD), 유기금속화학증착(MOCVD), 플라즈마화학증착(PECVD) 관련 공정을 한 장비 내에서 할 수 있으며 플라즈마 소스를 이용한 기판 및 체임버 세정공정으로 시간과 비용 절감이 가능하다.
또 이 제품은 실렉티브 HSG(Selective HSG, Hemi Spherical Grain), 탄탈륨 옥사이드(Ta2O5) 및 BST 공정을 포함하는 커패시터용 공정 장치로 제작돼 국내외의 양산라인에 납품됐다.
주성엔지니어링은 실렉티브 에피(Selective Epi) 성장장치와 고온 플라즈마화학증착장치(HT PECVD)도 개발을 마쳐 내년에 본격 생산한다. 이 성장장치는 일반 에피 공정이 웨이퍼 전면에 걸쳐 층을 만드는 데 비해 원하는 부분에만 막을 입힐 수 있는 것이 장점이다.
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