日.대만 반도체업계, 설비 증설 "가속페달"

　일본과 대만의 반도체업체들이 최근 반도체 경기 회복 추세에 맞춰 생산설비 확대 및 신공정 도입 등 기술 투자에 적극적으로 나서고 있다.

　이는 최근 반도체 수요가 많은 PC 경기가 회복세에 있고, 메모리를 많이 사용하는 인터넷 보급이 급확산되는 등 범용 메모리 반도체의 수요가 크게 늘 것으로 예상되는데다, 디지털카메라·MP3 등에서 플래시 메모리 수요도 급증할 것으로 기대되고 있기 때문으로 풀이된다.

　일본 반도체업체들은 최근 부가가치가 높고 고속성장이 예상되는 플래시 메모리 분야에 투자를 집중하고 있다.

　일본 최대 반도체업체인 NEC는 내년 초부터 D램 공장을 플래시 메모리용으로 변경해 이 사업을 강화하기로 하고 올해 반도체 설비투자액을 당초 1300억엔에서 1500억엔으로 늘려 잡았다. 또한 반도체 부문의 수익성을 개선하기 위해 현재 월 1000만개 수준인 64MD램의 생산량을 점차 줄이는 대신 히로시마 공장에 0.18㎛급 미세가공라인을 가동해 128MD램을 주력 품목으로 생산할 예정이다.

　미쓰비시전기도 플래시 메모리와 시스템LSI 사업을 강화하기 위해 투자액을 450억엔에서 500억엔으로 늘려 잡고 미국 후지쯔마이크로일렉트로닉스 그래셤 공장의 64MD램 라인을 통신용 LSI 및 플래시 메모리용 라인으로 전환할 계획이다.　또한 일본 이와테공장에서도 D램 대신 MCU 및 플래시 메모리를 생산하는 등 고부가가치 품목에 투자를 집중할 계획이다.

　최근 범용 D램 사업에서 철수키로 한 후지쯔는 올해 설비투자액을 당초 계획보다 250억엔 많은 900억엔으로 늘려 잡고, 이를 플래시 메모리 및 MCU 분야에 집중 투자한다는 계획을 내놓고 있으며, 마쓰시타전자공업도 당초 올해 450억엔 규모로 예상했던 설비투자액을 상향조정해 도나미공장(도야마현 소재)에 0.15㎛급 생산라인을 추가로 건설할 계획인 것으로 알려졌다.

　일본 반도체업체로는 히타치가 유일하게 메모리 반도체 사업을 적극적으로 추진해 256MD램 생산량을 올 연말 월 50만개 수준으로 늘리고, 내년 1·4분기에는 월 120만∼150만개까지 확대할 예정이다.

　대만 업체들은 주로 진입장벽이 비교적 낮으면서도 시장 저변이 넓은 메모리 반도체 분야 생산시설 확대에 적극 나서고 있다.

　TSMC는 올 초 6억4000만달러 수준으로 예상했던 설비투자 금액을 최근 2배 수준인 13억7700만달러로 높여 잡은 데 이어 내년에는 반도체 설비에 20억달러를 투자한다는 계획을 발표했다.　이를 통해 0.25㎛ 공정으로 생산하고 있는 웨이퍼 가공생산량을 올해 50만장 수준에서 내년에는 90만장까지 끌어 올리고, 0.18㎛ 신공정을 추가로 도입해 생산공정 개선작업에도 나설 예정이다.

　WSMC도 최근 일본 후지쯔사와 0.20㎛ , 0.22㎛ 공정 기술을 도입키로 하는 등 신기술 도입에 적극적으로 나서고 있다.　이 회사는 3년내에 추가 건설할 예정인 신주공업단지의 2개 공장 라인에 후지쯔의 기술을 적용할 것으로 예상되고 있다.

함종렬기자 jyham@etnews.co.kr