국제

IBM.인피네온, "트렌치-셀" 방식 이용 D램 제조기술 개발

전자신문을 선호 매체로 추가

　미국 IBM 마이크로일렉트로닉스사는 독일 인피네온사와 공동으로 트렌치­셀 커패시터 방식을 이용한 D램 기술을 개발했다고 미국 「세미컨덕터비즈니스뉴스」가 보도했다.

　이에 따르면 IBM과 인피네온이 개발한 트렌치 ­ 셀 커패시터 방식의 D램 제조기술은 커패시터 벽 안에 트랜지스터를 묻는 방식으로 메모리 셀의 크기를 크게 줄일 수 있다.

　두 회사는 이 기술이 0.12미크론 공정은 물론 1G 메모리 단품, 임베디드 메모리 개발에까지 적용할 수 있다고 주장했다.

함종렬기자 jyham@etnews.co.kr

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