현대전자 "초미세회로 공정기술", 국제학술대회서 최우수논문 수상

　현대전자(대표 김영환)가 자체 개발한 차세대 반도체 초미세회로 공정 기술에 관련한 논문이 권위있는 국제 반도체 학술대회에서 최우수 논문으로 선정됐다.

　이 논문은 현대전자 메모리연구소에서 발표한 초미세회로 형성 공정에 관한 내용(논문 제목: The Implementation of sub­150㎚ Contact Hole Pattern by Resist Flow Process)으로 최근 일본 요코하마에서 열린 반도체 공정 관련 학술대회인 「MNC(Microprocess and Nanotechnology Conference) 99」 행사에서 시상식을 가졌다.

　또 이 논문은 일본 물리학회 논문집(JJAP: Japanese Journal of Applied Physics. Vol.37 (1998) pp.6863∼6868)에 수록돼 반도체 관련업체들의 주목을 받았다.

　현대전자가 개발한 이 기술은 현재 사용중인 반도체 장비를 활용해 추가 공정없이 0.15미크론(100만분의 1m) 이하의 초미세 회로를 형성하는 차세대 기술이다.

　현재 반도체 생산 업체간에 치열하게 벌어지고 있는 칩 크기 축소 경쟁에서 우위를 점하기 위해서는 회로선 폭의 초미세화 기술과 0.20미크론 이하의 홀 회로 형성 기술 확보가 필수적이지만 현재 64메가D램 양산에 사용되는 크립톤플로라이드(KrF) 노광기술의 홀 회로 형성 한계 해상도는 0.20미크론 정도다.

　이번 논문에 발표된 기술은 이러한 한계 해상도의 극복을 위해 감광제에 일정 수준의 열에너지를 더해 0.15미크론 이하의 초미세 홀 회로를 형성하는 감광제 공정(Resist Flow Process) 기술이라고 설명할 수 있다.

　이 기술은 특히 △기존의 반도체 장비를 이용해 차세대급의 회로 형성이 가능하고 △공정이 단순해 공정 추가가 필요없으며 △불량률이 적고 공정 능력이 우수하다는 특징이 있어 실제 공정 적용성이 매우 높은 것으로 평가되고 있다.

　 현재 현대전자는 이 초미세회로 형성 공정 기술을 256M급 D램 제조를 위한 홀 회로 형성에 사용중이며 차세대 1기가, 4기가 D램에서 사용될 0.10미크론 이하의 홀 회로 형성을 위해 KrF 감광제뿐만 아니라 아르곤플로라이드(ArF) 감광제를 이용한 초미세회로 형성 공정 개발에 나서고 있다.

<최승철기자 scchoi@etnews.co.kr>