日후지쯔, 반도체 개발 거점 도쿄센터에 통합

　일본 후지쯔가 일본 전역에 분산되어 있는 반도체 개발거점을 2000년 초에 문을 여는 아키루노 반도체개발센터(도쿄 아키루노시 소재)에 집약시키기로 했다고 「일경산업신문」이 보도했다.

　이에 따르면 후지쯔는 반도체 개발거점을 내년 6월부터 본격적으로 옮기기로 하고 우선 회로선폭 0.13㎛급 최첨단 생산 공정기술의 개발을 추진하고 있는 미에공장과 연구거점인 아쓰기연구소의 개발부문을 새 개발센터로 집약시켜 최첨단 반도체기술 개발력을 강화할 계획이다.

　후지쯔는 지난 95년 8월에 이 계획을 발표하고 지난 97년 9월에 아키루노 반도체센터 출범을 계획했으나 0.13㎛급 공정기술의 개발을 미에공장에서 전개하기 위해 시기를 2000년으로 미뤘었다.

<주문정기자 mjjoo@etnews.co.kr>