반도체 미세회로 공정기술 "상용화" 템포 빨라진다

　반도체 공정 기술의 미세화 추세가 최근 급진전되고 있다.

　10일 관련업계에 따르면 당초 2001년으로 예상되던 0.18미크론 공정 기술의 채택이 2년정도 앞당겨져 올해부터 본격 도입되기 시작하는 등 미세 회로 공정 기술의 실제 상용화 시기가 점차 빨라지고 있다.

　이에 따라 0.18미크론 기술을 대체할 0.13미크론 공정의 도입은 2002년, 그리고 0.1 및 0.07미크론 공정 기술의 개발 시점도 2005년과 2008년으로 각각 2년 이상 앞당겨질 전망이다.

　특히 세계 주요 소자업체들이 미세회로 공정 기술을 본격 도입하기 시작하면서 이에 대응한 반도체 장비의 신규 도입도 서두름에 따라 세계 반도체 장비시장 경기가 본격적인 회복세를 나타내는 등 반도체 회로 선폭 미세화가 최근 세계 장비시장 회복의 주요 견인차 역할을 하고 있다.

　세계 반도체업계가 이처럼 미세 회로 공정 기술을 적극 도입하고 있는 것은 점차 치열해지고 있는 반도체 가격 싸움에서 승리하기 위해서는 반도체 생산비 절감이 필수적인데 미세 회로 공정 기술의 도입을 통해 웨이퍼당 출하되는 칩의 수를 늘리는 방법이 반도체 제조 단가를 줄이는 가장 현실적인 대안으로 인식되고 있기 때문이다.

　실제로 0.25미크론 공정을 통해 64MD램을 생산할 경우 8인치 웨이퍼당 380개의 D램을 출하할 수 있지만 0.18미크론 공정을 도입할 경우 출하량은 500개 이상으로 전체 생산량이 30% 정도 늘어나게 된다.

　또한 반도체 회로 선폭을 미세화할 경우 칩의 내부 작동 전압을 낮추고 작동속도를 끌어 올릴 수 있다는 장점도 지녀 세계 반도체업계의 미세 회로 공정 도입을 더욱 부추기고 있다.

　이에 따라 삼성전자·현대전자 등 국내 소자업체들은 현재 0.22미크론 공정을 주로 채택하고 있는 메모리 반도체 생산라인을 올해안에 대부분 0.18미크론 공정으로 대체키로 했으며 마이크론·NEC 등 외국 경쟁업체들도 본격적인 0.18미크론 공정 도입을 서두르고 있다.

　비메모리 반도체 분야에서도 최근 아남반도체가 미국 텍사스인스트루먼츠(TI)사와 공동으로 회로 선폭 0.18미크론급 공정기술 개발에 성공, 지난달부터 월 웨이퍼 3000장 규모의 양산라인 가동에 들어갔으며 대만의 파운드리업체인 TSMC·UMC 등도 0.18미크론 이하의 미세 회로 공정을 속속 도입하고 있다.

　공정기술에서 D램보다 한세대 앞선 마이크로프로세서 분야는 인텔·AMD 등 주요 CPU 생산업체들이 오는 하반기부터 0.18미크론 공정을 적용한 CPU 제품을 실제 출시키로 하는 등 빠른 기술 발전 속도를 보여주고 있다.

<주상돈기자 sdjoo@etnews.co.kr>