日반도체업계, 0.20∼0.18㎛ 미세가공기술 본격 채용

　일본 주요 반도체업체들이 고속화 및 칩 크기 축소를 통한 경쟁력 강화와 수익성 확보를 위해 0.18∼0.20미크론 미세가공기술을 양산라인에 본격 채택할 방침이다.

　이에 따라 현재의 최첨단메모리인 64M와 1백28M 싱크로너스 D램 양산에 사용되는 0.22∼0.25미크론 기술은 상반기 이후 0.20미크론 이하급으로 빠르게 대체될 전망이다.

　일본 「전파신문」에 따르면 0.18미크론 기술을 채택해 지난해 11월부터 칩 크기 38㎟의 64M 싱크로너스 D램을 샘플 출하하고 있는 히타치제작소는 올해 상반기 중에 0.18미크론 기술을 양산라인에 도입해 초소형 제품의 비율을 전체 64MD램의 50% 수준까지 끌어올릴 계획이다.

　이를 위해 히타치는 일본내 주력 생산거점인 히타치나가공장에 이어 올 봄에는 싱가포르 새 공장에도 0.18미크론 양산라인을 도입한다.

　IBM·지멘스와 공동으로 D램 기본설계를 변경한 새로운 메모리 셀 구조를 개발해 칩 크기를 최고 20% 줄이는 데 성공한 도시바는 새 설계기술과 0.18미크론 가공기술을 동시 채택한 30㎟크기의 64MD램과 60㎟의 1백28MD램을 올해말부터 양산한다.

　이 업체는 우선 일본내 첨단생산거점인 욧카이치공장에서 양산을 시작해 미국 IBM과의 합작공장인 미 버지니아주 도미니온공장으로 확대해 나갈 계획이다.

　일본업체 가운데 가장 먼저 0.25미크론 기술을 이용한 64M 싱크로너스 D램 양산을 시작했던 미쓰비시전기는 올 여름부터 주력 생산거점인 구마모토공장을 통해 0.18미크론 64M 싱크로너스 D램을 양산, 올해 안에 첨단제품의 비율을 전체 64MD램 생산의 30%까지 높일 계획이다.

　미쓰비시전기는 이미 지난해 4월부터 0.18미크론 기술을 이용한 칩 크기 30∼33㎟ 64M 싱크로너스 D램을 샘플 출하하고 있다.

　현재 0.22미크론 기술로 64M와 1백28M 싱크로너스 D램을 양산하고 있는 일본 최대 반도체업체 NEC도 NEC히로시마공장에 0.20미크론 라인을 도입해 봄부터 본격 가동에 들어간다.

　또 미국 그레셤공장을 통해 0.22미크론 기술을 채택한 64M 싱크로너스 D램을 양산중인 후지쯔도 시기는 아직 미정이나 0.20미크론 기술을 이용한 첨단제품의 양산을 계획하고 있다.

<심규호기자 khsim@etnews.co.kr>