삼성, 128메가 SD램.128메가 플래시메모리 세계 첫 양산

메모리 반도체 가격이 급락하면서 세대교체의 속도가 빨라지고 있는 가운데 삼성전자(대표 윤종용)가 세계 반도체업계 처음으로 싱크로너스 방식의 1백28M D램과 플래시메모리를 양산한다.

삼성전자는 각각 지난 2월과 3월에 세계 최초로 개발한 1백28M 싱크로너스 D램과 1백28M 플래시메모리 제품을 8월부터 본격 양산키로 했다고 28일 밝혔다.

1백28M 싱크로너스 D램은 0.23 미크론의 초미세 회로선폭 공정을 적용해 개발했으며 향후 컴퓨터 및 종합 멀티미디어 기기의 고기능화와 대용량화에 필수적인 차세대 반도체로 신문지 1천50장, 원고지 4만2천장 분량의 정보를 기억할 수 있는 고집적 메모리 제품이다.

특히 64M D램 설계기술과 첨단 공정기술을 결합해 기존의 64M D램과 동일한 칩 크기로 생산할 수 있도록 설계함으로써 시스템의 변경없이 제품을 채택할 수 있는 것이 장점이다.

또한 버스 주파수 1백33㎒를 지원하며 최근 새로운 PC표준인 「PC-100」 등 차세대 고성능 PC에 다양하게 응용할 수 있고 64M D램과 동일한 소비전력을 사용하는 등 제품 호환성도 높다.

이 제품은 64M D램 2개를 포개 만들던 기존의 1백28M D램 샘플들과는 달리 첨단기술을 통해 이를 단일칩화함으로써 가격은 물론 속도, 크기, 전력 사용면에서 훨씬 우수한 성능을 나타낸다고 삼성측은 밝혔다.

삼성전자는 1백28M 싱크로너스 D램 생산량을 우선 초기에 월 10만개에서 올해 연말까지 1백만개 수준으로 대폭 늘릴 방침이다.

특히 현재 주력 메모리 제품인 64M 제품에 비해 7배 이상 높은 가격을 형성하고 있는 1백28M 싱크로너스 D램을 일본의 NEC나 도시바 등 경쟁업체들보다 훨씬 앞서 양산에 성공함으로써 최근 급격히 악화되고 있는 반도체 부문의 수익개선에 큰 힘이 될 것으로 기대된다.

또한 싱크로너스 D램과 동시에 양산에 나서는 1백28M 플래시메모리는 회로선폭 0.27미크론의 초정밀미세가공 기술을 적용했으며 휴대형 단말기에 사용할 수 있게 2.7V의 저전압에서 동작하도록 설계된 제품이다.

특히 이 제품은 정보의 기록 및 삭제를 1백만번 이상 반복할 수 있고 데이터 삭제 및 저장속도가 빠른 것이 장점이다.

지금까지 플래시메모리 시장을 주도해 온 인텔, AMD, 후지쯔, 암텔 등보다 앞서 1백28M 제품을 조기에 양산함으로써 D램과 S램에 이어 플래시메모리 시장에서도 주도권을 가지고 본격적인 시장경쟁을 벌일 수 있을 것으로 보인다.

한편 세계 1백28M 싱크로너스 D램 시장은 99년에 11억 달러, 2000년 35억 달러 규모로 성장할 전망이며 플래시메모리 시장은 96년 26억 달러에서 2000년 50억 달러 이상으로 성장할 것으로 예상되고 있다.

<최승철 기자>