日 주요 반도체 10社, 16GD램 미세가공기술 개발

일본 주요 반도체 10개사가 공동으로 현재의 4세대 후속 제품인 16GD램 개발에 필요한 미세가공기술을 개발했다.

「日本經濟新聞」에 따르면 NEC, 도시바, 히타치제작소를 포함한 일본 반도체 10개업체는 노광기술과 감광제의 소재를 개선해 현재 일반화되고 있는 불화 아르곤(ArF) 엑시머 레이저를 광원으로 활용하면서도 회로 선폭을 현재의 5분의 1 수준인 0.04미크론까지 축소하는데 성공했다고 밝혔다.

새 기술이 16GD램 개발에 본격 활용되기 위해서는 앞으로 주변 기술의 개발이 뒤따라야 하지만, 이번 기술은 실용화에 어려움을 겪고 있는 X선 레이저를 광원으로 사용하지 않고도 현재의 엑시머레이저로 16GD램을 제조할 수 있는 가능성을 제시하고 있어 그 의미가 매우 크다. 16GD램은 오는 2천7년께 실용화될 것으로 예상된다.

일본은 반도체 10사를 포함한 전자관련 22개사가 참여하는 기술연구조합 최첨단전자기술개발기구(ASET)를 설립, 현재 새로운 에너지와 산업기반기술 개발에 박차를 가하고 있다. 이번 미세가공기술 개발 성과도 이 프로젝트의 일환으로 반도체 10개사는 히타치제작소의 반도체개발거점에서 공동 개발을 추진해 왔다.

<심규호 기자>