협회, 3차연도 반도체장비 국산화사업 "시동"

차세대 반도체장비 및 핵심 부품 개발을 목표로한 제 3차년도 중기거점기술개발사업(반도체장비국산화사업)이 이달부터 본격 추진된다.

한국반도체산업협회(회장 문정환)는 최근 총 8개 과제 57억원 지원 규모의 제 3차년도 반도체장비국산화개발사업 최종안을 확정짓고 이달부터 최종 선정된 7개 중소 업체들을 대상으로 본격적인 지원 사업에 착수한다고 20일 밝혔다.

또한 협회측은 그동안 1∼2년 기간의 단기 과제 중심이던 사업 내용을 ∼-3년의 장기 과제 위주로 구성했으며 업체별 정부 지원 규모도 4억∼5억원 수준으로 크게 늘려 실질적인 국산 개발과 양산화가 가능하도록 했다고 덧붙였다.

세부 추진 과제로는 한국DNS와 청송시스템이 각각 3백㎜ 웨이퍼용 웨트스테이션 및 다결정 실리콘 건식 에처를 삼성전자와 공동 개발키로 했으며 한국도와는 몰딩과 마킹 공정 등을 하나로 합친 64MD램용 후공정 인라인시스템의 개발을 추진한다.

또한 한국MAT가 제출한 가스 스크러버용 연소 및 흡착시스템 개발 사업과 주성엔지니어링이 3개의 체임버를 장착한 저압 화학 증착장비(LPCVD) 개발 게획도 이번 3차년도 수행 과제로 최종 확정됐다.

이와 함께 모듈 제품 분야에서 10mW급 레이저 및 스테퍼용 안정화 레이저를 원다레이저가 개발키로 했으며 2차년도 사업부터 추진돼온 탑엔지니어링의 웨이퍼 프로버 개발 사업은 연속과제로 선정됐다.

이와 관련 협회 한 관계자는 『이번 3차년도 사업은 대부분의 과제가 전공정 부문에 집중돼 있고 3백㎜ 웨이퍼 시대에 대응하는 차세대용 장비라는 점에서 1차 및 2차년도 사업과 차별화 된다』고 강조했다.

지난 95년부터 추진돼 올해로 3차년도를 맞는 반도체장비국산화개발사업은 국내 장비 업체들의 개발 부담을 줄이고 국산 장비의 판로를 보장한다는 취지아래 개발 사업비를 정부지원금 40%, 소자업체 40%, 장비업체 20%의 비율로 구성하되 사업에 참여하는 소자업체는 해당 개발 장비에 대한 구매확약서를 쓰도록 규정하고 있다.

<주상돈 기자>