日 미쓰비시전기, 64MD램 후속으로 1백28MD램 투입

일본 미쓰비시전기가 64MD램 후속 제품으로 1백28MD램을 투입키로 결정했다.

일본 「日經産業新聞」에 따르면 지금까지 64MD램과 2백56MD램의 중간 단계인 1백28MD램 제품화에 미온적인 태도를 취해온 미쓰비시전기는 앞으로 이 제품에 대한 수요가 급증할 것으로 판단, NEC, 후지쯔 등에 이어 1백28MD램을 개발하기로 방침을 정했다.

미쓰비시전기는 구마모토공장에서 이 제품을 생산, 내년 4.4분기 중에 시장 공급할 계획이다. 이 회사는 이미 개발을 추진하고 있는 2백56MD램 설비를 1백28MD램용으로 변경하는 한편 미세가공기술은 0.25미크론급을 채용할 방침이다.

생산규모에 대한 계획은 아직 발표되지 않았으나 경쟁업체들의 계획을 고려할 때 양산이 본격화되는 99년까지 월 50-1백만개 생산체제를 갖추게 될 것으로 예상된다.

그동안 64MD램의 후속은 2백56MD램이 된다는 것이 반도체업계의 통설이었다. 사실 1백28MD램을 제품화하기 위해서는 4배 증가를 전제로 해온 D램업체들의 개발, 생산 체제를 수정해야 하는 부담이 생긴다.

그러나 현재 기술의 연장선상에서 2백56MD램을 제작할 경우 주요 수요처인 컴퓨터업체들이 원하는 크기의 제품화가 사실상 불가능하다. 이 때문에 D램 주요 수요처들이 1백28MD램 제품화를 강력히 요청하고 있을 뿐 아니라 이같은 상황을 파악한 인텔도 1백28MD램 제품화를 D램업체들과 타진하고 있는 상황이다.

현재 일본업체 가운데는 NEC가 내년 초 샘플 출하를 시작해 99년까지 월 2백만-3백만개규모의 양산체제를 구축할 계획이며, 후지쯔도 99년부터 월 50만-1백만개 규모로 양산을 시작한다는 방침을 세워 놓고 있다.

<심규호 기자>