日 주요 반도체업체들, 올 설비투자 주춤

일본 주요 반도체업체들이 올해 설비투자에 소극적인 자세를 보이고 있다.

지난 29일 히타치제작소의 발표를 끝으로 마감된 올해 일본 주요 반도체 10사의 총 설비투자규모는 지난해보다 2백23억엔 줄어든 1조1천1백40억엔인 것으로 나타났다.

주요 10사 가운데 소니와 산요 2사만이 올해 설비투자규모를 확대하고 NEC 히타치제작소 미쓰비시전기 마쓰시타전기 등은 전년수준을 유지할 방침이며 후지쯔 도시바 오키전기 등은 투자 규모를 축소한다.

이들 10사는 올해 투자비의 대부분을 64MD램 증산과 ASIC(주문형반도체) 사업에 투입할 계획이다.

전년수준인 1천5백억엔의 설비투자를 계획하고 있는 히타치제작소는 히타치나가공장의 64MD램 라인을 증설한다. 또 1천50억엔을 투자하는 미쓰비시전기는 구마모토공장과 고치공장, 대만공장의 64MD램 양산라인을 확대한다. 후지쯔는 미에공장과 미 그래셤공장의 생산규모를 늘리는 한편 플레시메모리분야 투자를 확대할 계획이다.

NEC는 올해 전년수준이 1천9백억엔을 계획하고 있는데, 이 가운데 약 1백억엔을 지난해 중단했던 야마가타공장 건설에 사용한다. 이 공장은 0.25미크론 최첨단 미세가공라인이 도입돼 내년 6월부터 ASIC(주문형반도체)을 생산하게 된다.

증액을 계획하고 있는 소니는 가고시마 생산자회사의 미세가공라인을 증설하고, 산요는 니가타공장의 플래시메모리 생산라인을 확대한다.

올해 일본의 설비투자계획에서 특기할 만한 것은 NEC, 히타치제작소, 미쓰비시전기, 도시바, 후지쯔를 포함하는 이른바 반도체 빅5가 모두 투자규모를 축소하거나 동결했다는 점이다.

한편 올해 주요 10사의 총 생산액은 지난해보다 6천4백10억엔이 늘어난 5조6천8백20억엔 규모가 될 전망이다.

<심규호 기자>