日미쓰비시電機, 64M SD램 98년 1월 양산

일본 미쓰비시電機가 64M 싱크로너스D램(SD램)을 이달 10일부터 샘플 출하, 빠르면 내년 1월부터 월 50만개규모로 양산을 시작한다.

「日本經濟新聞」의 최근 보도에 따르면 미쓰비시는 0.3미크론 미세가공기술을 사용해 이 제품을 양산하는데 내년 말까지 64MD램 가운데 SD램이 차지하는 비율을 40%까지 끌어올릴 방침이다.

미쓰비시가 생산하는 64M SD램은 동작주파수가 1백25MHz이며 외부전원전압이 3.3V이다. 미쓰비시는 그러나 칩 내부전압은 2.5V로 책정,소비전력을 다소 낮췄다. 이 칩의 내부는 16Mb 단위의 블럭으로 구성되어 있는데, 각 블록은 독자적인 동작이 가능하다. 패키지는 54핀의 TSOP(Thin Small Outline Package)형이다. D램은 데이터전송 속도에 따라 EDO(확장데이터출력), 싱크로너스, 램버스 등의 사양으로 나누어진다. 내년부터 시장이 본격 형성될 64MD램 시장에서는 싱크로너스 제품이 전체시장의 62% 정도를 차지하고 EDO제품이 34%, 램버스제품이 4%를 차지해 싱크로너스가 처음부터 주력제품으로 부상할 전망이다. 이에 따라 최근 주요 반도체업체들은 부가가치가 높은 싱크로너스 D램 생산에 박차를 가하고 있다.

<심규호 기자>