日 미쓰비시, 0.1미크론 미세가공 기술 개발

일본 미쓰비시電機가 자외선 레이저를 사용해 0.1미크론 이하의 미세가공을 실현하는 새 기술을 세계 최초로 개발했다.

「日本經濟新聞」 최근 보도에 따르면 미쓰비시는 최근 1G급이상의 차세대반도체 양산에 필요한 0.1미크론 미세가공기술을 개발했다. 이 기술은 기존의 자외선 레이저를 사용하므로 이미 보급된 장치를 사용해 가공할 수 있다는 것이 장점이다.

반도체의 고집적화를 추진하기 위해서는 기판상에 형성하는 「콘택트 홀」의 크기를 줄여야 하는데, 1GD램급에는 0.15-0.18미크론이 요구된다. 현재까지의 레이저기술로는 0.2미크론이 한계였다.

새 기술은 자외선을 발생시키는 보급형 불화클립톤 엑시머레이저를 사용, 빛의 로광방식을 변환해 미세가공을 실현했다. 이 기술을 상용하면 「콘택트 홀」의 크기를 0.1미크론 이하로 형성할 수 있으며, 홀 간격도 기존의 약 절반인 0.28미크론까지 줄일 수 있다.

미쓰비시는 더욱 미세한 회로를 형성하기 위해 전자 빔, X선 등의 활용도 검토 중에 있으나, 새 광원의 활용은 제품의 단가상승으로 이어진다는 문제점이 있다.

<심규호 기자>