日 마쓰시타, 0.25미크론급 미세 가공라인 도입

일본 마쓰시타電子가 일본과 미국의 반도체생산공장에 선폭 0.25미크론급 최첨단 미세가공기술을 도입한다.

「日經産業新聞」에 따르면 마쓰시타는 총 1천억엔을 투자해 일본 도나미공장과 미국 아메리카마쓰시타반도체에 선폭 0.25미크론 라인을 오는 4월과 10월에 각각 도입키로 했다. 생산능력은 양사를 합쳐 8인치 웨이퍼 월 1만5천장규모로 32비트 마이컴과 64MD램을 양산할 예정이다.

마쓰시타전자는 당초 이들 공장에 0.35미크론 라인을 도입할 계획이었으나 반도체시장상황을 반영해 설비계획을 변경한 것으로 알려졌다.

도나미공장의 64MD램 생산은 당초 올해 말 시작할 계획이었으나 미세가공라인 도입을 계기로 오는 4월로 앞당겨졌다.

일본내 6위 반도체업체인 마쓰시타는 올해부터 주요 반도체업체들의 0.25미크론라인이 본격 가동되는 추세를 반영, 미세가공라인 도입을 서두르는 한편 오는 2000년까지 반도체분야에 연간 1천억엔을 투자할 방침이다.

<심규호 기자>