EU, 1테라비트 반도체 개발 추진

EU(유럽연합)가 1테라 비트급 반도체 개발을 지향하는 미래형 반도체연구개발 프로젝트를 실시한다.

「日本經濟新聞」에 따르면 EU는 현재 실용화되어 있는 반도체의 집적도를 1만6천배 높인 「單一전자메모리」 기술 개발을 위해 프로젝트를 결성했다. 이 프로젝트는 EU가 추진하는 정보통신개발전략프로그램인 「ESPRIT」의 일환으로 출범한다. EU는 이 프로젝트에 향후 3년간 3백20만ECU(약 34억원)를 투자할 계획이다.

이 프로젝트에는 현재 프랑스 국립과학연구소, 그리스 국립반도체연구소, 영국 캠브리지대학, 독일 튀빈겐대학 등 유럽의 7개 국립연구기관 및 대학과 유럽세 이외로는 유일하게 일본의 히타치제작소가 참여하고 있다.

단일전자메모리는 앞으로 10-20년 후에 실용화될 기술로 현재의 메모리가 칩상의 콘덴서 부분에 1만개정도의 전자를 축적해 1비트의 정보를 기록하는데 반해 이 메모리는 1개에서 수개의 전자로 1비트의 정보를 기록한다.

단일전자메모리기술은 개개의 전자를 정확하게 제어할 수 있을뿐만 아니라 소비전력도 대폭 절감할 수 있다. 현재 실용화된 기술은 반도체 집적도가 높아지면 회로를 정확히 제어할 수 없는 문제가 발생하기 때문에 현 세대 반도체의 5세대 이후 제품인 64Gb메모리부터는 실용화에 한계가 올 것으로 전망된다.

단일전자메모리는 작은 영역에 전자를 축적해 그 움직임을 하나하나 제어하는 것으로 기술적인 한계를 극복, 1테라비트(1조 비트)급 반도체개발에 길을 열었다. 1테라비트급 메모리는 신문 4만 페이지분, 영화 1편분의 정보를 기록할 수 있는 용량이다.

한편 이번 프로젝트에 참여하고 있는 히타치제작소는 1테라비트급 메모리의 등장시기를 2천16년께로 보고 있다. 그러나 현실적으로 1테라비트급 메모리는 단일전자메모리기술 이외에도 미세회로 가공기술이 먼저 개발돼야 실용화될 수 있다는 것이 업계관계자들의 일반적인 시각이다.

<심규호 기자>