日 미쓰비시, SOI구조채용 D램 개발 본격화

일본 미쓰비시電機가 SOI(실리콘 온 인솔레이터)구조를 채용한 D램 개발에 한발 다가섰다.

「日刊工業新聞」의 최근 보도에 따르면 미쓰비시는 SOI D램 개발에 문제가 됐던 방류전류문제를 개선하는데 성공, 앞으로 16Mb급 SOI D램을 개발을본격화한다.

SOI구조를 채용한 램은 데이터유지에 소요되는 소비전력을 기존 D램의 15분의 1로 줄일 수 있는 저소비전력이 특징이다. 차세대 반도체구조의 하나로그 동안 많은 반도체업체들이 개발을 추진해 왔으나,실용레벨로 끌어 올린것은 이번 미쓰비시가 처음이다.

SOI구조는 1볼트로 작동되며, 데이터유지에 필요한 리플레시동작도 기존 D램의 3분의 1 빈도로 가능하다. 또 구조상의 소비전력을 3분의 2이하로 줄일수 있어, 전체 소비전력을 15분의 1로 절약할 수 있다.

지금까지 SOI구조의 D램채용에는 게이트를 오프상태로 유지해도 전류가 방류되어 소비전력을 줄일 수 없다는 점이 문제로 남나 있었다.

미쓰비시는 몸체에 잔류되어 있는 게이트치 이하의 正電荷를 소스측으로뽑아내는 바디리플레시방식으로 이같은 문제를 해결, 저소비전력 작동에 성공했다.

<심규호 기자>