일본 고마쓰가 1GD램급이상의 메모리생산에 필요한 스테퍼광원용 ArF(불화아르곤)엑시머레이저발진기를 오는 98년부터 양산한다고 「日經産業新聞」이최근 보도했다.
ArF엑시머레이저는 선폭 0.18미크론급이하 미세가공에 필요한 핵심기술의하나이다.
고마쓰는 지난 4월 약 10억엔을 들여 건설하기 시작한 오야마공장내 엑시머레이저발진기생산라인을 통해 ArF엑시머레이저발진기를 생산할 예정이다.
고마쓰는 오야마공장이 최초 가동되는 올연말경에는 우선 ArF보다 파장이긴 KrF(불화클립튼)엑시마레이저발진기를 생산하고, ArF엑시머레이저발진기는 오는 98년부터 본격 생산해 첫해 10-20대정도를 출하할 계획이다.
고마쓰는 히라쓰가市 중앙연구소를 통해 ArF엑시마레이저개발을 추진, 지금까지는 주로 반도체업체의 연구개발용으로 소규모 출하해왔다.
실리콘웨이퍼에 회로를 형성하는 스테퍼광원으로는 파장 3백65나노미터의고압수은램프인 i선이 오랜기간 주류를 이뤄왔다. 그러나 파장이 긴 i선은회로선폭 0.3미크론급까지의 미세가공이 한계인 것으로 알려지고 있다.
이 때문에 0.25미크론급 미세가공을 필요로 하는 2백56MD램에는 파장 2백48나노미터인 KrF엑시머레이저가, 0.18미크론급기술이 필요한 1GD램급이상에는 파장 1백93나노미터의 ArF엑시마레이저가 사용될 것이라는 견해가 지배적이다.
한편 엑시머레이저사업을 추진중인 업체는 일본 고마쓰외에 미국의 사이머레이저테크놀로지, 독일의 램더피직 등이 있다.
<심규호 기자>
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