日후지쯔, 4GD램 양산 기술 개발

일본 후지쯔가 4GD램양산의 핵심기술인 0.12미크론의 露光기술 개발에 성공했다.

「日本經濟新聞」의 최근 보도에 따르면 후지쯔는 자외선레이저를 이용해선폭 0.12미크론의 회로를 露光하는 기술을 세계 최초로 개발했다고 발표했다.이 회사는 또 이번 기술개발로 차세대 메모리인 4G D램 양산기술의 확립에 길이 열렸다고 강조하고 향후 1GD램의 생산부터 이 기술을 활용할 방침이라고 밝혔다.

후지쯔가 개발한 기술의 핵심은 미세한 회로를 성형하는 노광기술로 후지쯔는 불화아르곤 엑시머레이저라는 특수 레이저로부터 자외선에 感應하는 고감도의 감광재료를 개발하고 높은 해상도에서 회로를 그리는 기술도 확립,0.

12미크론의 최소 회로선폭을 실현했다.

또 이 기술을 토대로 가로 약 0.5미크론, 세로 약 0.3미크론의 미세한 면적에 메모리 기본소자의 회로패턴을 그릴 수 있다는 것도 확인, 4GD램의 양산의 길을 열었다.

후지쯔는 일련의 기술을 2000년이후 본격 개시될 1GD램의 양산단계부터 이용해 나갈 방침이다.

반도체가공분야에서 관련업체들은 현재 1GB에 해당하는 선폭 0.18미크론의가공기술을 확보하고 있다.그러나 이보다 한발 앞선 선폭 0.12미크론의 가공에서 엑스(X)선을 광원으로 이용하려는 시도가 있었으나 자외선노광 가공기술은 아직 개발되지 못했다.

<신기성 기자>