美램버스, 데이터전송용량 2배높인 16MD램용 램버스사양 발표

램버스 사양의 완성도가 높아짐에 따라 고속 D램에서 반도체업체들의 램버스사양으로의 이행이 가속화될 것으로 보인다고 「日經産業新聞」이 15일 보도했다.

이에 따르면 미국 반도체설계회사인 램버스社는 램버스사양의 고속 16MD램을 개량,데이터전송용량(유효 밴드폭)을 종래의 2배수준으로 끌어올렸다고밝혔다. 또 이 신기술은 삼성전자,도시바,NEC등 한국과 일본의 5개 반도체업체들이 내년부터 양산하는 16M 램버스 D램에 도입될 예정이다.

램버스 D램은 데이터액세스에 오류가 발생한 후 다음 데이터를 접수할 때까지의 대기시간이 싱크로너스(동기식)등 보다 긴 것이 결점이었다. 그러나「콘커런트 아키텍처」라는 신기술의 도입으로 이러한 단점이 보완, 단위시간당 데이터전송의 유효밴드폭이 확대돼 결과적으로 고속화를 실현했다.

지금까지 마이크로프로세서(MPU)등의 명령은 데이터를 저장하는 두개의 메모리뱅크중 한군데에서만 액세스할 수 있었는데 콘커런트 아키텍처의 도입으로 동시에 두군데에서 액세스가 가능하게 돼 한 곳에서 액세스오류가 발생했을 경우에도 다른 데이터를 처리할 수 있다.

이에 따라 종래의 16M 램버스 D램에서 1백48ns였던 에러정정시간을 80ns로단축할 수 있고 그 결과 데이터를 전송할 때 유효밴드폭이 2배가까이 향상됐다고 램버스측은 말했다.

삼성전자와 NEC,도시바외에 LG반도체와 오키電氣도 이 아키텍처를 채용,내년 상반기중 순차적으로 양산에 나설 계획이다.

램버스는 이의 가격은 업체에 따라 다르지만 다른 업체들의 양산가격과 거의 같을 것으로 내다보고 있다.

<신기성 기자>