日 NEC, 미세 배선기술 개발

일본 NEC가 1GD램급이상 제품에 사용될 새로운 미세배선 기술을 개발했다.

일본 「電波新聞」의 최근 보도에 따르면 NEC는 스파터 텅스텐단층방식을이용해 1GD램이상 고밀도제품에 이용할 수 있는 첨단 미세배선기술을 개발했다.

이번에 개발한 텅스텐배선기술은 대용량 D램과 MPU 등을 원칩화하는 시스템LSI의 제조에도 널리 사용될 것으로 NEC측은 기대하고 있다.

<심규호 기자>