일 NEC, 1GD램용 엑시머레이저 개발

기가(G)급 메모리반도체의 제조를 위해 초미세가공의 필요성이 높아지고있는 가운데 최근 일본에서 이를 충족시켜줄 만한 로광용 레이저장치가 개발됐다.

"일경산업신문"의 최근 보도에 따르면 NEC는 차차세대 메모리인 1GD램의양산용으로 초미세가공이 가능한 불화아르곤 엑시머레이저장치를 개발했다.

아직 제조기술이 확립되어 있지 않은 1G비트 메모리의 양산용 노광광원으로사용할 수 있는 이 장치는 회로패턴의 성형이 안정되어 있을 뿐 아니라 소형이어서 소비전력도 적다.

NEC는 오는 2000년을 목표로 이 장치를 실용화할 계획이라고 이 신문은 덧붙였다.

NEC가 개발한 엑시머레이저장치는 파장 0.9um의 자외선을 방출하며 1GD램의제조에 필요한 선폭 0.2um의 회로를 성형할 수 있다. 또 크기가 세로 44cm,가로 92.5cm, 높이 43.3cm로 기존 엑시머레이저장치의 약 7분의 1에 불과,책상위에 올려놓고 사용할 수 있다.

NEC는 이번 개발에서 광학소자의 제어회로를 개선, 자외선을 안정적으로낼수 있도록 했을 뿐 아니라 불화아르곤가스의 농도나 방전시의 전기펄스를최적화하고 빛의 증폭기능을 방전장치에 탑재해 소형화를 실현했다. 이 결과소비전력도 종래보다 대폭 경감할 수 있게 됐다고 NEC측은 말했다.

지금까지 개발된 1GD램 시제품은 주로 전자빔에 의해 회로를 1개씩 만들기때문에 양산에는 적합하지 않다. 이에 대해 기존 노광기술의 연장인 엑시머레이저를 이용하면 미세한 회로패턴을 한번에 실리콘기판상에 성형할 수 있다.

엑시머레이저는 불화아르곤등 가스를 가둬 방전에 의해서 기체 분자를 일단높은 에너지상태로 하고 이것이 원상태로 복귀할 때 방출되는 빛을 증폭,이용하며 가스의 종류에 따라서 빛의 파장이 달라진다.

한편 업계에서는 D램의 노광광원으로 2백56MD램 단계에서는 불화크립톤 엑시머레이저, G비트급에서는 파장이 이보다 짧은 불화아르곤 엑시머레이저가유력한 것으로 보고 있다. 그러나 단파장 빛을 내는 광원으로는 엑시머레이저외에도 전자를 가속시켜 발생하는 X선을 사용하는 싱크트론방사광(SOR)의연구개발도 앞으로 활발히 전개될 것이란 견해도 있다.

〈신기성기자〉