일본, 첨단 ASIC 개발 "열기"

심규호기자

일본 반도체업체들이 올 들어 0.25와 0.35um제품의 설비투자를 적극 추진하고 있다. 올해 각 업체들의 설비투자계획이 확정된 것은 아니지만 지난해투자규모를 웃도는 것만은 확실하며, 지금까지 발표된 정황으로 미뤄 볼 때11개 대형업체들의 올해 설비투자액은 총1조5천억엔 규모에 이를 것으로 추산된다. 특히 D램은 4M급에서 16M급으로의 전환이 가속화하고 고성능 마이컴,ASIC(주문형반도체)분야서도 최첨단기술을 채용한 제품이 속속 나오고 있다. 또 메모리의 대용량화와 고성능 마이컴의 원칩화 등도 본격 추진되고 있다. 올해 일본 반도체업체들에게는 로직 LSI의 제조능력 확보가 가장 큰 과제로 남아있는 가운데 각 업체들의 설비투자 계획에 대해 알아본다.

〈편집자주〉

NEC는 지난해 반도체분야에 2천1백억엔을 투자했다. 이 자금은 주로 NEC규슈의 제8공장 라인증설에 투자됐는데, 이 공장은 8인치웨이퍼 기준 월3만장생산체제를 갖추고 있다.

올해 NEC의 설비투자계획을 보면 3월 현재 2천억엔 정도 규모로 0.35um라인증설에 힘쓸 것으로 보인다. 이에 따라 올 상반기에는 NEC히로시마공장의증강과 하반기에는 영국의 NEC 세미컨덕터스UK에 추가 투자할 계획이다. 그이후 설비투자에 대해서는 0.25um과 0.35um중 어느쪽이 나을지 좀 더 지켜본뒤 결정한다는 입장이다.

NEC는 우선 NEC히로시마에 5백억엔을 투자해 0.35um의 16M D램 라인을 신설, 오는 3월말부터 착공에 들어가 8인치웨이퍼 기준 월1만장 체제를 구축할계획이다. 또 영국의 NEC 세미컨덕터스UK에도 제2단지를 오는 8월 설립하여0.35um의 8인치웨이퍼를 사용한 64MD램 양산라인을 갖춘다.

또한 이 업체는 NEC야마가타를 로직IC의 생산거점으로 지정하고 지난해 11월설비교체공사를 시작, 월1만장의 0.35um제품 생산체제를 구축했다. 이 공사는 내년 4월에 완료될 예정이다.

도시바는 욧카이치공장 제2크린룸에 제조장치 도입, 오이타공장의 8인치웨이퍼 생산 등을 시작으로 오는 4월 이와테 도시바공장에 0.25um용 라인을 착공한다. 도시바는 이와테공장을 화상처리용 프로세서 등을 포함, 시스템기능을원칩으로 실현하는 시스템LSI 및 64MD램의 생산거점으로 활용할 계획이다.

또 도시바로서는 해외에서 최초로 전공정공장인 도시바-IBM합작공장을 지난1월 미버지니아주에 건설하기 시작했다. 이 공장은 도시바의 64MD램 양산거점으로 97년 9월부터 가동에 들어갈 예정이다.

지난해 설비투자액이 1천6백억엔 규모였던 도시바는 올해에도 지난해 수준의투자를 계획, 이 자금을 지난해에 이어 욧카이치공장 제2단지 건설, 이와테도시바 일렉트로닉스, 도시바IBM합작사, 오이타공장의 다층공정 등에 추가출자할 계획이다.

히타치제작소는 지난해 1천8백억엔 규모를 설비투자, 이를 통해 나가제조본부, 다카자키제조본부의 확장은 물론 미국 히타치 세미컨덕터 아메리카에32비트 RISC프로세서인 "SH-3"생산용 공장 신설, 독일 히타치 세미컨덕터 유럽에 16MD램 및 SH마이컴 양산공장 설립, 한국 LG반도체와 합작으로 말레이시아공장 건설을 추진하는 등 생산능력 확대에 박차를 가해 왔다. 히타치는올해 투자액도 지난해를 밑돌지는 않을 것이라고 밝히고 있다.

후지쯔는 지난해 1천9백억엔을 설비투자비로 사용했다. 후지쯔의 설비투자는이와테공장, 아이즈와카마쓰공장, 후지쯔 AMD 세미컨덕터를 중심으로 이뤄졌다. 이와 함께 후지쯔는 최근 미국 그레셤공장에 0.35um의 16M, 64MD램 생산라인을 갖춘 신규 공장단지를, 영국 더럼공장에도 새로운 공장단지를 건설한다고 발표했다. 그러나 영국 더럼공장은 64MD램 전용 양산라인으로 추진키위해 착공을 연기, 올해 말부터 0.25um 설비를 도입한다.

후지쯔는 앞으로 반도체설비투자를 더욱 강화한다는 목표 아래 올해부터 98년까지 3년간 총7천억엔을 투자할 계획이다. 투자대상은 후지쯔 세미컨덕터, 미국 그레셤공장, 영국 더럼공장과 0.35및 0.25um의 시스템LSI를 양산하는아이즈와카마쓰 신공장 등이다. 이를 통해 후지쯔는 반도체생산액을 올해7천4백억엔, 내년 1조엔, 98년도 1조2천3백억엔으로 끌어올린다는 목표를 세워 놓고 있다.

미쓰비시전기는 지난해 설비투자액 1천1백50억엔을 독일의 미쓰비시 세미컨덕터 유럽, 구마모토공장, 64MD램 시제품, 양산을 추진하는 ULSI개발연구소등에 사용했다.

이밖에 마쓰시타전자공업, 산요전기, 소니, 오키전기, 롬사 등도 반도체부문설비투자에 박차를 가하고 있다. 특히 지난 94년부터 올해까지 3년에 걸쳐약2천억엔을 투자액으로 책정했던 마쓰시타는 이를 2천7백억엔으로 증액했다.

이에 따라 마쓰시타의 올 한해 투자예정액은 1천2백억엔으로 늘어났다.

또 산요도 올해부터 2000년까지 5년에 걸쳐 반도체분야에 3천5백억엔 이상을투자할 계획이라고 발표했다.