일 도시바, 4GD램 요소기술 개발

일본 도시바가 4GD램의 요소기술을 개발했다고 "일본공업신문"이 8일 보도했다. 이에 따르면 도시바는 셀면적을 종래의 75%로 축소하고 소비전력을 대폭 절감하는 기술의 개발에 성공、 이를 현재 교토에서 열리고 있는 VLSI심포지엄 에서 발표할 예정이다.

도시바가 개발한 메모리셀은 0.2미크론 상보성금속산화막반도체(CMOS)공정을 이용한 것으로 셀면적이 0.29평방미크론으로 세계 최소를 실현했다. 인접하는 셀에서 1개의 워드선을 공유화하는 신구조를 채용、 셀면적을 종래의 75 %로 축소하는 데 성공했다.

또 소비전력 절감을 위해 동작시와 대기시 신기술을 각각 개발했다. 대기시 의 신기술은 대기시 전원을 단절하는 회로기술을 고안, 트랜지스터의 리크전류나 바이어스회로내의 관통전류를 제로로 만들었다. <신기성 기자>