일 후지쯔, 미에 64MD램 생산라인 신설

일본 후지쯔사는 미국에서 차세대메모리인 64MD램의 전처리공정에 대응할 수있는 반도체공장을 건설할 계획이다.

일본 "일간공업신문"의 최근 보도에 따르면 후지쯔는 올 상반기 메모리시황 을 지켜본후 오는 6월경에 공식발표할 방침이다. 동사의 총투자액은 6백억~7 백억엔에 달하는 것으로 알려졌다.

후지쯔의 새 공장은 오리건주의 그레셤공장 인근에 설립, 16MD램과 64MD램의 전처리공정이 가능하도록 0.35미크론 상보성 금속산화막 반도체 CMOS 공정라인을 도입할 예정이다.

후지쯔는 반도체분야에 대한 투자를 지난 92~93년 2년연속 억제해왔으나 94 년에 이어 올해에도 투자액을 늘려잡고 있다. <주문정 기자>