삼성전자 2백56MD램 세계 첫 개발

삼성전자가 세계 처음으로 차세대 2백56MD램의 개발에 성공했다.

삼성전자(대표 김광호)는 92년초부터 1천2백여억원의 개발비를 들여 2년6개 월만에 세계 처음으로 2억7천만개의 셀이 완전하게 작동하는 3백28?(13.75 ×23.86mm)크기의 2백56MD램 풀리 워킹 다이(fully working die)를 개발하는 데 성공했다고 29일 발표했다.

<관련기사 3면> 삼성이 0.25미크론 디자인툴을 이용해 개발, 6백밀(mil) SOJ(J자형 리드핀) 패키지에 실장한 2백56MD램은 칩 하나에 신문 2천페이지(2백자 원고지 8만장 분량)이상의 방대한 정보를 저장할 수 있는 최첨단 메모리 제품으로 아직 까지 일본을 비롯한 선진 반도체업계에서도 개발에 성공하지 못한 상태다.

삼성은초전압 구동설계 기술을 사용, 2.2~2.4V의 저전력화를 실현했고 자사가 보유하고 있는 멀티 I/O(입출력) 아키텍처 기술을 적용, 40나 노초의 고속동작을 구현했으며 개발과정에서 미국 등 해외특허 49건을 포함, 총1백29 건의 특허를 출원중이라고 밝혔다.

삼성은이번 풀리 워킹다이의 개발에 이어 이 제품의 상용화를 위해 다이 크기를 줄이고 성능을 향상시키는 개량작업에 본격 착수하는 한편 1기 가급 제품의 연구개발도 진행중인 것으로 알려지고 있다.

2백56MD램은오는 98년부터 선보여 2000년대 초기에 메모리시장의 주력 제품 으로 등장할 것으로 예상돼 현재 1천억 달러 규모의 세계 반도체 시장이 2배 이상으로 확대되는 2000년에는 국내 관련산업의 수출 경쟁력을 높이는 데 크게 기여할 전망이다.