일히타치, 고속형 D램 양산

일본 히타치 제작소가 하이퍼페이지기능을 추가한 고속형 D램의 양산에 나선 다. 히타치는 내년 1월부터 4MD램의 고속형을 월 수만개수준으로 양산개시하고, 이어 고속형 16MD램의 양산도 내년 하반기부터 본격화할 계획이다.

히타치가 고속형 D램의 양산을 추진하는 것은 동작주파수 1백MHz이상의 고성 능영역은 싱크로나이스 D램으로 대응할 수 있지만 1백MHz이하 영역에서는 기존의 D램과 호환성을 지닌 고속형의 필요성이 높아질 것이라는 판단에 따른것이다. 히타치가 새로 추가하는 하이퍼페이지기능은 출력폭을 확장, 연속 출력시의 사이클시간을 단축시켜 준다. 고속형 4MD램은 사이클시간이 기존형의 40나노 초보다 훨씬 단축된 15나노초에 불과하고 데이터전송률도 종래보다 60% 증가한 40MHz를 실현했다.

히타치의 고속형 D램은 현재 양산중인 0.8미크론 상보성금속산화막 반도체(C MOS)슈링크프로세스를 사용한 제3세대제품 "HM514000B"시리즈를 토대로 개발 됐다. 히타치는 9월부터 고속형 4MD램을 샘플출하할 예정이며 액세스 시간 60, 70 및 80나노초의 3개형 샘플도 곧 내놓을 계획이다. 또 고속형 16MD램의 샘플 출하도 연내 개시할 방침이다. 고속형 4MD램의 가격은 종래 제품보다 15%상 승할 전망이다.