일NEC, 0.15미크론 초미세노광기술 개발

일본 NEC가 1G이상의 대용량 D램에 필요한 회로선폭 0.15미크론의 초미세 로 광기술을 개발했다.

이기술은 광원으로 자외선영역의 빛을 내는 불화 아르곤 레이저를 사용하며 전자선 노광이나 X선 노광에 의하지 않고 종래 노광기술의 연장선에서 대응하기 때문에 양산성도 확보할 수 있다.

NEC는 앞으로 레지 스터(감광재료)성능을 향상시키고 노광장치를 개선해 이 기술을 실용적인 수준으로 끌어 올릴 계획이다.

새노광기술은 1백93나노m로 파장이 짧은 불화 아르곤 엑시머레이저를 이용 미세노광을 실현했다.

또새로운 레지스터를 채용, 노광광원의 파장이 짧아지면 초점심도가 얇아져레지스터에 녹여 붙이는 패턴이 흐려진다는 문제도 해결했다. 이 레지스터는 폴리비닐 페놀이 주성분이다.

새노광기술은 또한 레지스터를 그대로 마스크에 사용하지 않기 때문에 작업 공정은 늘어나지만 지금까지 사용하고 있는 노광기술을 그대로 이용할 수 있어 생산공정을 대폭적으로 교체할 필요가 없다.

NEC는이 노광기술을 이용해 최소 0.14미크론의 선폭에서 미세가공이 가능함을 확인했다.

또실제로 D램 제조에 사용할 때 0.15미크론까지의 미세 가공에서도 충분히 성능을 유지할 수 있음을 실증했다.

일반적으로1GD램에서는 선폭 0.18미크론의 미세가공이 필요한 것으로 알려지고 있다.