일로옴, 1천조회 고쳐쓰기가능한 소자 개발

일본 로옴사는 고집적화가 가능하고 고쳐쓰기 횟수를 획기적으로 늘린 메모 리소자를 최근 개발했다고 밝혔다.

로옴은유전율이 매우 높은 강유전체를 사용한 메모리용 소자의 시제품을 개발 이의 작동에 성공했다. 로옴은 이 소자를 사용한 메모리는 고쳐쓰기 횟수가 1천조회정도로 높아진다고 밝혔다.

로옴은이번 개발품을 차세대메모리로 기대되고 있는 플래시메모리를 능가하는 고쳐 쓰기성능을 가진 차세대메모리로 연결시킬 계획이다. 동사는 앞으로2 3년후에 이를 상용화할 예정이다.

시제품의메모리용 소자는 열화하지 않는 이리듐 전극용 재료를 사용해 고쳐 쓰기 횟수를 대폭 늘릴 수 있게 했다. 일반적으로 플래시메모리는 고쳐 쓰기 횟수가 1백만회정도다.

또한이는 하나의 트랜지스터로 작동하기 때문에 소형화. 고집적화가 가능하고 소비전력도 적다는 특징을 갖고 있다.