HBT (Heteroj-unction B-ipolar Tr)는 실리콘 TR와는 달리 이미터에 밴드갭 속박상태에 있는 가전자를 이동성이 좋은 전도전자로 전환하는데 필요한 최소에너지 이 큰 물질을 사용, 이미터와 베이스간의 접합을 이형 구조로 만든 트랜지스터로 셀룰러폰.코드리스폰.광역LAN.PCN(개인휴대통신)등에 적용되는 통신용 핵심부품이다.
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