일 후지쯔 "2세대TR" 개발

일본의 후지쯔사는 최근 트랜지스터 내부에 논리기능과 기억기능을 지닌 제2세대 양자효과 트랜지스터 "멀티에미터 RHET(Resonant-tunneling Hot Elec -tron Transistor)"의 개발에 성공했다.

이트랜지스터는 트랜지스터 자체가 외부의 제어신호에 의해 논리 처리와 기억처리를 할 수 있는 기능을 지닌 제품으로 메모리 등의 반도체 집적회로를 기존 회로보다 10분의1정도의 소자수(트랜지스터와 저항의 개수) 로 구성할 수 있다.

이제품의 개발로 회로의 저소비전력화, 고속화를 통해 비용을 대폭 절감 할수 있게 되었으며, 전자파 크기 정도의 초미세구조인 양자구조를 조합 시킨1 Tb(테라비트:백만Mb) 메모리소자와 논리소자 개발의 길이 열리게 되었다.

이번개발은 일본 통산성의 산업과학기술 연구개발제도에 기초한 "양자화 기능소자 프로젝트"의 일환으로 얻어진 것이다.