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    플래시 메모리 반도체에 그래핀 전극을 도입한 모식도

    카테고리 : 정보통신 지면 : 15면 개제일자 : 2011.11.22 관련기사 : 저장시간 1만배 늘린 메모리 소자 개발…KAIST 조병진 교수팀 `그래핀` 적용

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  • 저장시간 1만배 늘린 메모리 소자 개발…KAIST 조병진 교수팀 `그래핀` 적용

     플래시 메모리 반도체 전극을 기존 금속물질에서 나노물질인 그래핀으로 대체하면 데이터 보존시간이 1만배 가량 늘어난다는 사실을 국내 연구진이 밝혀냈다. 그래핀을 사용하면 20나노급 이하 미세공정을 쉽게 적용할 수 있다는 것도 증명했다.

     교육과학기술부는 조병진 한국과학기술원(KAIST) 전기·전자공학과 교수팀이 반도체 금속 전극을 그래핀으로 대체하면 플래시 메모리 소자 성능과 신뢰도가 획기적으로 개선된다는 사실을 규명했다고 21일 밝혔다.

     조 교수 연구....

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