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D램 신공정 응용한 제품 양산 시점 현황
카테고리 : 정보통신 지면 : 10면 개제일자 : 2009.02.09 관련기사 : 하이닉스 1Gb DDR3 D램 세계최초 개발 의미
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하이닉스 1Gb DDR3 D램 세계최초 개발 의미
지난 5일 삼성전자가 46나노 1Gb DDR2 D램을 세계 최초 개발한 데 이어 이번 하이닉스도 44나노 1Gb DDR3 D램을 세계 최초로 개발, 국내 반도체 양대 기업이 D램 공정에서 동종 업계 최고의 나노 공정 기술 우위를 잇따라 입증했다.
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40나노급 공정은 엘피다·마이크론·난야 등 대부분의 D램 경쟁 업체들이 2010년 이후 개발을 목표로 하는 차세대 D램 제조 기술로 국내 기업들이 이보다 1년 이상 앞당겨 40나노 D램 양산 기술을 대외에 과시한 것이다.
업계에선 전 세계 반도체시장 구조조.... - 최신자료
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