삼성전자와 하이닉스반도체 간 낸드 플래시 메모리 양산경쟁이 불꽃을 튀기고 있다.

　하이닉스 반도체는 내년 초에 48 나노 미세공정으로 16Gb 낸드플래시메모리를 양산하겠다고 4일 밝혔다.

　하이닉스가 내년 초에 양산할 제품은 삼성전자가 이미 생산중인 16Gb 낸드플래시메모리보다 미세공정에서는 반 발짝 정도 앞선다. 삼성전자는 지난 4월부터 51 나노공정으로 16Gb 낸드플래시메모리를 양산해왔다.

　하이닉스의 이 같은 발표는 같은 16Gb 용량이긴 하지만 40 나노대 공정....