국내 반도체 전공정 장비기업 테스(TES)가 인공지능(AI) 반도체와 전력반도체 수요 확대에 대응해 차세대 식각·증착 장비 개발에 속도를 낸다. 고대역폭메모리(HBM)와 3D 구조 전환으로 중요성이 커지는 고선택비 식각 기술과 실리콘카바이드(SiC) 전력반도체용 에피(Epitaxial) 성장 장비 국산화에 집중한다.
한국산업기술기획평가원(KEIT)과 전자신문이 공동 주최하고 산업통상부가 후원하는 '2026 글로벌 소재·부품·장비 테크페어'가 오는 20일 서울 삼성동 섬유센터빌딩에서 열린다. 서동식 테스 OED사업본부장(부사장)이 '대체불가한 소부장 생태계 조성을 위한 개발전략'을 주제로 발표한다.
테스는 2002년 9월 설립된 반도체 전공정 전문 장비기업이다. 현대전자(현 SK하이닉스) 출신인 주숭일 창업자를 중심으로 성장했으며, 2008년 5월 코스닥에 상장했다. 본사는 경기도 용인에 두고 있으며, 중국 시안과 우시에 자회사를 운영한다. 현재 임직원 수는 470명 규모다.
주력 제품은 플라스마 강화 화학기상증착(PECVD) 장비와 기상 식각 및 세정(Gas Phase Etch & Cleaning) 장비로, 삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 주요 고객사에 공급한다. 최근에는 유기발광다이오드(OLED)·발광다이오드(LED) 공정용 장비와 화합물 반도체 장비로 사업 영역을 확대하고 있으며, 2025년 연결기준 매출액은 약 3511억원, 영업이익은 약 578억원을 기록했다.
최근 연구개발의 핵심은 AI 반도체 선단공정과 전력반도체다. AI 데이터센터 확산으로 HBM과 고단수 3D 낸드·D램 수요가 급증하면서 기존 장비로는 대응하기 어려운 고선택비 식각과 정밀 박막 증착이 요구된다. 특히 3D D램과 5나노 이하 로직 공정에서 실리콘게르마늄(SiGe) 고선택비 식각 장비는 어플라이드머티리얼즈, 램리서치, 도쿄일렉트론 등 해외 업체가 사실상 독점하고 있어 국산화 필요성이 제기된다.
테스는 올해 말까지 국내 최초 고선택비 SiGe 식각 장비 개발을 목표로 하고 있으며, SiGe 식각 속도가 에피 실리콘 대비 200배에 이르는 성능을 지향한다. 시간당 36장 이상 처리와 웨이퍼 내·웨이퍼 간 균일도 5% 이내를 목표로 설정했다.
테스는 이번 행사에서 AI·HBM 대응 고선택비 식각 장비와 SiC 에피 성장 장비의 기술적 가능성과 국산화 전략을 소개한다. 국내 반도체 제조사와의 공동 기술개발을 통한 공정 맞춤형 솔루션 제공과 장비 수입 의존도 저감 방안도 공유할 예정이다.
2026 글로벌 소부장 테크페어 참가 신청과 행사에 대한 자세한 내용은 전자신문 홈페이지(www.sek.co.kr/2026/tech)에서 확인할 수 있다.
이형두 기자 dudu@etnews.com
