중국 창신메모리(CXMT)가 차세대 반도체 구조에 기반한 D램 제품을 올 연말에 선보인다고 밝혔다. 삼성전자·SK하이닉스 등 메모리 선두를 맹추격하겠다는 의지로 읽힌다.
12일(현지시간) 중국 매체에 따르면, 차오칸위 CXMT 총재는 최근 한 행사에서 연말까지 '4F² D램을 이요한 차세대 서버용 메모리 제품 'DDR5 RDIMM'을 내놓을 계획이라고 밝혔다.
반도체 웨이퍼 제조 공정에서 노광 공정으로 구현할 수 있는 최소 선폭을 'F'라고 부른다. 4F²은 메모리 1개 단위의 크기가 'F 제곱의 4배'라는 의미다. 현재 D램 주류 구조는 6F²로, 4F²는 이보다 발전해 단위 면적 내 트랜지스터 숫자는 늘고 메모리 집적도도 높아진다. 삼성전자·SK하이닉스 등 메모리 기업들도 4F² 구조의 D램 상용화를 준비하고 있다.
차오 총재는 CXMT가 4F² 아키텍처 관련 특허를 다수 보유하고 있다고 소개했다.
중국 매체들은 CXMT가 가전제품용 메모리에 집중해왔는데, 이번 신제품 출시 예고로 서버용 메모리 시장으로 영역을 넓히려 한다고 평가했다.
CXMT가 4F²에 기반한 제품을 먼저 출시할 경우, 차세대 메모리 경쟁에서 선도적 지위를 점하고 첨단 반도체 공급망에서 중국의 입지도 강화될 수 있다고 현지 매체들은 기대했다.
홍콩매체 사우스차이나모닝포스트(SCMP)도 삼성전자·SK하이닉스가 메모리 집적도를 높이기 위해 이러한 기술을 추구하고 있다며, SK하이닉스는 지난해 4F² 관련 로드맵을 공개한 바 있다고 설명했다.
권동준 기자 djkwon@etnews.com
