SK하이닉스가 업계 최고 스펙 D램인 '고대역폭메모리(HBM)3'를 개발했다고 20일 밝혔다. HBM은 여러 개 D램을 수직 연결해 기존 메모리보다 데이터 처리 속도를 비약적으로 끌어올린 고성능 메모리다. SK하이닉스 HBM3는 초당 819기가바이트(GB) 데이터를 처리할 수 있다. 풀HD급 영화(5GB) 163편을 1초 만에 처리할 수 있는 속도다. 이전 세대인 HBM2E 대비 속도가 78% 빨라졌다.
오류정정코드(On Die-Error Correction Code)가 내장된 것도 제품 특징이다. HBM3는 이 코드를 통해 D램 셀에 전달된 데이터 오류를 스스로 보정할 수 있다. 이를 통해 제품 신뢰성을 크게 높일 수 있다.
신제품은 16GB와 24GB 두 가지 용량으로 출시된다. 특히 24GB는 업계 최대 용량이다. 24GB 구현을 위해 SK하이닉스는 단품 D램 칩을 30마이크로미터(μm) 높이로 갈아낸 후 이 칩 12개를 TSV 기술로 수직 연결했다. TSV는 D램 칩에 수천개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 상호연결하는 기술이다.
SK하이닉스는 현존 최고 스펙의 HBM3를 개발, 메모리 시장 주도권을 선점할 계획이다. HBM3를 앞세워 고성능 데이터센터 시장을 적극 공략한다. 회사는 인공지능(AI) 완성도를 높이는 머신러닝, 기후변화 해석, 신약 개발에 사용되는 슈퍼 컴퓨터에도 제품이 적용될 것으로 기대했다.
차선용 SK하이닉스 D램 개발담당 부사장은 “세계 최초 HBM D램 출시로 HBM2E 시장을 선도한 데 이어 업계 최초로 HBM3 개발에 성공했다”면서 “앞으로도 프리미엄 메모리 시장 리더십을 공고히 하는 한편, 환경·사회·지배구조(ESG) 경영에 부합하는 제품을 공급해 고객 가치를 높이기 위해 최선을 다하겠다”고 말했다.
권동준기자 djkwon@etnews.com
