TI는 새로운 절연 게이트 드라이버 UCC21710-Q1·UCC21732-Q1·UCC21750를 출시했다고 18일 밝혔다.
공개된 제품들은 업계 최초로 IGBT(절연 게이트 양극성 트랜지스터), 실리콘 카바이드(SiC) 금속산화물 반도체전계 트랜지스터(MOSFET)를 위한 집적 통합 센싱 기능을 제공한다. 최대 1.5 KVRMS로 동작하는 애플리케이션에서 시스템 신뢰성을 높였다. 통합 컴포넌트들을 통해 과전류 상태를 신속하게 탐지, 시스템을 정지할 수 있다. 전기 용량성 절연 기술을 통해 장벽 수명을 늘리고, 고밀도 패키징이 가능하다.
스티브 램버시스 TI 고전압전력제품담당 부사장은 “절연 기술을 사용하는 새 게이트 드라이버들은 다른 통합 기능과 결합할 수 있다”며 “공간과 비용을 최소화하고, 보다 신속하게 신뢰할 수 있는 시스템 생산 단계로 진입 가능하다”고 밝혔다.
류태웅기자 bigheroryu@etnews.com
