삼성전자 첫 해외 시스템LSI 생산라인인 미국 텍사스주 오스틴 ‘S2’ 라인이 당초 일정을 앞당겨 풀가동에 들어갔다.
삼성전자는 6일 지난해 8월부터 건설을 시작한 오스틴 S2 라인을 계획보다 1개월 앞당겨 지난 3월에 완공한데 이어 5월부터 제품을 출하, 5개월 만에 완전 가동에 들어갔다고 밝혔다. 팹(FAB) 건설에는 7개월, 램프업(Ramp-up)에 5개월이 채 안 걸린 기록이다.
S2는 300mm 자동화 라인으로 45나노 공정의 저전력 로직IC를 생산하며 월 최대 생산량은 4만장에 달한다. 관련기사 본지 6월 8일자 13면
삼성전자는 이번 라인 확대로 국내 기흥캠퍼스와 미국 오스틴을 잇는 글로벌 시스템LSI 생산라인을 구축, 고속 성장하는 시스템LSI 시장에 적극 대응할 수 있게 됐다고 설명했다.
애플리케이션프로세서(AP), CMOS 이미지 센서 등 최근 급증하는 제품 주문 요구에 부응하는 한편 애플 등 파운드리 고객 증설 요구에도 효과적으로 대처할 수 있게 됐다.
삼성전자는 현재까지 추가 증설 계획은 수립하지 않은 것으로 알려졌다. 반면에 현재 45나노 공정에서 미세화 단계를 끌어올린 28나노로 전환은 내년 중에 추진할 예정이다.
45나노에서 28나노로 공정을 미세화하면 성능은 높이면서도 생산량을 2배 이상 증가시킬 수 있다.
삼성전자는 지난 6월, 28나노 저전력 하이케이 메탈 게이트(HKMG) 로직 공정과 28나노 저전력 고성능(LPH) 공정을 이미 개발한 상태여서 내년부터 적용할 계획이다. 단, 국내 시스템LSI 라인과 오스틴 라인 중 어떤 곳을 먼저 전환할지는 아직까지 확정되지 않은 것으로 알려졌다.
이 회사는 기흥 S라인에서 월 5만장, 14라인에서 월 2만장 규모의 시스템 LSI라인 생산 능력을 확보, 오스틴공장까지 포함할 경우 300㎜웨이퍼 기준 월 11만장의 생산능력을 확보하게 됐다.
삼성전자 DS사업총괄 시스템LSI사업부 하상록 상무는 “환경이 전혀 다른 해외사업장에도 단기간에 국내 생산라인과 동일한 생산체제를 구축할 수 있었던 것은 앞선 기술과 현장 임직원들의 노력 덕분”이라고 말했다.
서동규기자 dkseo@etnews.com
