TSMC, 내년 저전력 · RF CMOS 공정 양산 로드맵 발표

전 세계 반도체 위탁제조(파운드리) 1위 업체인 대만 TSMC가 내년부터 28나노 저전력 · 무선주파수(RF) CMOS 파운드리 서비스를 시작한다.

스티브 린 TSMC 이사는 지난 9일부터 11일까지 제주 신라호텔에서 개최된 RF집적회로 기술 워크샵에서 “내년 1월부터 하이케이-메탈게이트(HKMG) 28나노미터(nm) 고성능 · 저전력(HPL) 기술을 이용해 양산할 계획”이라고 말했다.

또 RF관련 IC에서 적합한 고성능 공정인 RF CMOS HKMG 28나노 HPL 공정도 내년 초부터 제공한다. 저전력 · 고성능 두 가지 측면을 모두 지원, 시장 주도권을 잃지 않겠다는 전략이다.

삼성전자는 이와 관련 지난 2분기 32나노 하이케이메탈게이트 파운드리 공정을 개발하고 조만간 기업들에게 서비스를 제공할 것이라고 밝힌 바 있다. 이에 따라 양사 간의 파운드리 미세공정 경쟁도 보다 치열해질 전망이다.

TSMC는 내년 말경부터는 LP 28나노 HPM 공정 양산에도 들어갈 계획이다. 린 이사는 이 공정은 HPL 공정보다 좀 더 진보한 기술이라고 설명했다.

TSMC의 공정 기술 로드맵은 모바일용 반도체 설계분야 발전 속도에 맞춘 것으로 풀이된다. 와이파이(Wi-Fi) · FM · 블루투스 · 근거리무선통신(NFC) 등의 통합칩이 올해부터 이미 40나노대에서 양산되고 있다. 데이터 송신 속도를 높인 블루투스3.0 기술에서는 내년부터 40나노대 칩을 생산하기 시작할 예정이다. 린 이사는 애플리케이션프로세서나 무선모뎀칩(베이스밴드) 등 로직제품은 내년부터 28나노로 생산할 것으로 전망했다.

린 이사는 “TSMC가 32나노 공정기술을 건너뛰고 28나노로 간 것은 설계자산(IP) 개발의 효율성 때문”이라고 말했다. 공정 기술에서 한 세대 진보할 때마다 많은 IP를 개발하는데, 28나노미터에 적합한 IP가 많이 개발됐다는 것이다.

RF집적회로 기술 워크샵은 RF분야 산 · 학 · 연 관계자가 모여 기술을 교류하는 장으로 올해가 10회째다. 올해는 전력증폭기, 4세대(G) 이동통신과 그 이후, 스마트그리드와 유비쿼터스센서네트워크(USN), 차량용 레이더 센서, RF에너지 전달과 수집, 미래 모바일 터미널, 이머징 기술 등에 대한 강연이 펼쳐졌다.

오은지기자 onz@etnews.co.kr