마이크론ㆍ난야, 42나노 DDR3 D램 개발

미국 마이크론과 난야가 42나노 D램 공정 기술을 발표하고, 현재 30나노급 공정 기술도 개발 중이라고 9일 EE타임스가 보도했다.

양사가 공개한 제품은 구리금속화 기술을 통해 개발한 42나노 2Gb DDR(Double Data Rate)3다. 이 제품은 1.35V에서 동작함으로써 기존 제품보다 전력 소모량을 30% 가량 줄였다. 또 초당 1866메가비트의 데이터를 전송할 수 있다.

마이크론은 오는 2분기 시제품을 출하한 뒤 하반기부터 본격 양산에 들어갈 계획이다.

한편, 삼성전자는 최근 30나노 2기가비트 DDR3 D램을 개발하고 하반기부터 양산키로 했고, 하이닉스도 이미 지난해 11월 44나노 2기가비트 DDR3를 출시한 바 있다.

서한기자 hseo@etnews.co.kr