다양한 형태로 메모리 반도체를 제작할 수 있는 휘어지는 차세대 메모리 소자가 국내 연구진에 의해 개발됐다.
한밭대 화학공학과 노용영 교수팀은 지식경제부 ‘개별물품단위 인식용 차세대 전자태그(RFID) 개발사업’의 일환으로 광주과학기술원 김동유 교수팀, 한국전자통신연구원, 영국 캠브리지대학 헤닝 실링하우드 교수팀과 공동으로 차세대 플렉시블 메모리 소자를 개발하는데 성공했다고 28일 밝혔다.
개발된 메모리 소자는 유연한 플라스틱 기판 위에 금 나노 입자가 함유된 고분자 박막을 유기박막 트랜지스터 절연막으로 사용한 고성능 비휘발성 메모리 소자로, 휘어질 정도의 유연성을 갖춘 것이 특징이다. 소자를 활용할 경우 향후 메모리 반도체의 제작 단가를 현재보다 10분의 1 수준으로 획기적으로 낮출 수 있다고 연구진은 설명했다. 또 메모리 반도체를 다양한 형태로 제작할 수 있는 것도 장점이다.
연구진은 이 메모리 소자를 우선적으로 인쇄 전자기술로 만든 RFID에 시범 적용하고, 향후 고집적화를 통해 USB에도 확대 적용시켜 나갈 계획이다. 이 기술은 최근 재료공학분야의 세계적인 과학잡지인 독일의 ‘Advanced Functional Materials’에 실렸으며, 미국과 유럽 등에 특허가 출원됐다.
노용영 교수는 “현재의 메모리 소자보다 가볍고 유연한 것이 특징”이라며 “앞으로 3년 후에는 상용화된 제품이 나올 수 있을 것”이라고 말했다.
대전=신선미기자 smshin@etnews.co.kr
