인텔-ST마이크로-뉴모닉스, 차세대 메모리 P램 개발

　인텔은 ST마이크로일렉트로닉스, 뉴모닉스와 손을 잡고 차세대 메모리 P램(상변화메모리)을 개발하는데 성공했다고 28일(현지시각) 밝혔다.

이번 제품은 집적도 64Mb로 지난달 상용화에 들어간 삼성전자의 512Mbb 보다 용량은 작지만 설계 및 공정 기술 측면에서 혁신적 성과가 있었다고 C넷은 평가했다.

이 제품은 칩 내부에서 회로를 구성하는 와이어에 직접 전기적 신호(a grid of wires)를 구현할 수 있다. 이에 따라 이 칩을 활용하면 컴퓨터가 총 6400만개에 달하는 메모리 셀에 동시에 1과 0의 데이터를 제어할 수 있어 정보를 읽고 쓰는 속도가 아주 빨라지게 된다.

또한 당초 주어진 용량보다 임의로 확장할 수 있도록 최상위 층(layer)에 여러 층을 덧붙일 수 있는 공정 기술을 적용한 것이 특징이다.

이번 제품의 기술 개발을 주관한 뉴모닉스의 파지오 특별 연구원은 “앞으로는 전력 소모량을 더 줄이고 5나노미터급의 초미세회로공정을 적용해 집적도를 높이는 것이 기술 개발의 방향”이라고 말했다.

정지연기자 jyjung@etnews.co.kr