STT램 개발 센터 7월초 개소식

　차세대메모리 STT램(스핀주입 자화반전 메모리·Spin Transfer Torque Magnetic RAM) 개발을 위한 ‘비휘발성메모리개발센터’ 개소식이 오는 7월초 한양대에서 열린다.

한양대 차세대테라비트급비휘발성메모리사업단(단장 박재근 한양대 교수)은 차세대 메모리로 주목받는 30나노급 이하의 STT램 개발 라인을 6월말 완공하고 센터 개소식을 갖는다고 3일 밝혔다. 삼성전자·하이닉스반도체·주성엔지니어링 등 기업이 기술 인력을 파견, STT램 공동 개발에 참여할 계획이다.

이번 ‘비휘발성메모리개발센터’ 개소식을 계기로 삼성전자·하이닉스 등 국내 기업들은 차세대 메모리반도체 STT램 기술 확보에 본격 나선다. 특히 국내 기업들은 10인치 웨이퍼 기반에서 STT램을 개발해 8인치 팹에서 STT램을 개발한 일본 도시바 등 경쟁기업 보다 원가 경쟁력에서 우위에 설 계획이다.

한양대 박재근 교수는 “STT램 개발에 필요한 핵심 장비 스퍼터가 내달 28일 센터에 입고되고 에처 장비는 6월에 반입되는 등 반도체 경기 불경기 탓에 장비 입고 일정이 한 달 가까이 지연됐을 뿐 STT램 개발을 위한 센터 구축 작업이 순조롭게 진행되고 있다”고 말했다.

‘STT램’은 기존 커패시터 대신 ‘자기접합터널(MTJ:Megnetic Tunnel Junction)’이란 자성 물질을 이용, ‘1’과 ‘0’ 신호를 기억하는 메모리로, 기존 메모리에 비해 매우 간단한 MTJ 구조만으로 쓰기와 읽기가 가능하고 테라비트급에 달하는 대용량 집적도를 구현할 수 있다.

안수민기자 smahn@etnews.co.kr