관련 통계자료 다운로드 훈장·표창 유공자 2008년 대한민국 기술대상 영예의 대상인 대통령상은 삼성전자의 50㎚ 공정 1Gb DDR2 SD램에 돌아갔다. 삼성전자(대표 이윤우)는 1993년 이후 15년째 메모리 반도체 분야 세계 1위를 지킨 저력을 바탕으로 이번에 대상을 수상한 1Gb DDR2 SD램을 개발, D램 분야에서 처음으로 50나노 시대를 열었다.
세계 최초로 50㎚ 공정에서 양산된 1Gb DDR2 제품으로 초절전 성능을 구현한 친환경 저전력 제품이다. 소비 전력을 기존 제품에 비해 52∼66% 수준으로 낮췄다. 이산화탄소 배출량을 줄인 세계 최고 수준의 전력 소비 효율을 자랑한다. 서버나 모바일 기기 등 소비 전력을 줄여야 할 필요가 있는 각종 응용 제품들에 폭넓게 적용할 수 있다.
앞으로 DDR3 및 그래픽용 메모리나 모바일 메모리 등 타 D램 제품군에 적용돼 생산성 향상과 국가 경제 발전에 기여할 것으로 평가된다.
저전압 특성으로 기존의 1.8V 제품과 함께 1.5V 전압에서도 DDR800으로 작동할 수 있다. 이에 따라 성능 감소 없이 추가적으로 소비 전력을 줄일 수 있다. 함께 확보된 DDR1066의 특성은 빠른 처리 속도가 필요한 고성능 그래픽 제품에 적용할 수 있게 해준다.
삼성전자는 반도체 제조 공정 중 메탈 공정을 단순화하고 칩 크기를 최소화하는 데도 성공했다. 경쟁 제품보다 15% 이상의 가격 경쟁력을 확보한 것으로 평가된다. 삼성전자는 2006년 10월 세계 최초로 50나노급 D램 공정을 적용한 1Gb DDR2 SD램 개발을 발표했으며 2007년 7월 업계 처음으로 인텔 인증을 획득하는 등 기술 리더십을 인정받았다. 이 제품은 상반기 본격 양산에 들어갔으며 향후 세계 메모리반도체 시장을 이끌어 갈 중심 제품으로 기대를 모았다.
삼성전자는 이 제품이 기술 리더십과 고성능, 저전력 소비, 저비용 등의 네 마리 토끼를 한꺼번에 잡아, 절대 경쟁력을 갖춘 삼성전자 반도체 사업의 핵심 제품이 될 것으로 기대했다.
