하이닉스 1GB, 2GB D램 모듈 본격 양산

하이닉스반도체는 최근 DDR2 1GB, 2GB 800MHz PC용 모듈(UDIMM) 제품의 개발을 끝내고 인텔사로부터 인증을 받고 본격 양산을 시작한다고 24일 밝혔다.

하이닉스는 작년 11월 54나노 공정 기술을 기반으로 한 DDR2 1Gb D램 단품의 인증을 획득한 바 있으며, 이번에 이 제품들을 조합해 만드는 모듈 제품의 인증까지 받은 것이다.

1GB는 8Gb이며, 1GB 모듈은 1Gb 단품 8개 혹은 512Mb 16개를 연결한 형태다.

인텔 인증은 새로 개발된 D램 등이 상용 제품에 쓰이는 데 적합하다는 것을 의미하는 사실상 업계 공인으로, 제품 양산과 상업화를 위한 주요 절차다.

54나노 기술은 미세 공정의 특성상 기존의 60나노 기술에 비해 투입되는 웨이퍼 크기를 40％까지 줄일 수 있으며 제품의 전력 소모도 획기적으로 줄어든다.

하이닉스가 DDR2 1Gb D램 단품에 이어 1GB와 2GB 모듈 제품의 인증을 받게 됨으로써 1Gb 이상 고용량 D램 제품의 생산력이 크게 향상될 전망이다.

작년까지는 D램 시장의 주력 제품이 512Mb 제품이었지만 최근 512Mb 제품 2개 값이 1Gb 제품 하나 가격보다 비싸게 되는 `비트 크로스` 현상이 발생하는 등 반도체 주력 제품은 1Gb로 옮겨가고 있다.

하이닉스 관계자는 "현재 1Gb 이상 제품 생산이 전체 D램 제품의 40％ 선에 달하고 있으며, 특히 하이닉스의 300㎜ 전용 팹인 M10에서는 60％까지 올라갔다"고 밝혔다.

<연합뉴스>