하이닉스, 중국 우시공장 300㎜ 팹 추가 증설

　수도권 규제로 이천공장 신규팹 증설에 애를 먹고있는 하이닉스반도체가 중국 우시공장의 300㎜ 팹(C2)을 증설키로 했다.

　30일 관련업계에 따르면 하이닉스반도체는 내년 6월 가동을 목표로 약 1조∼1조5000억원을 투입해 중국 우시공장 300㎜ 팹(C2)의 페이즈2 생산라인 구축에 착수했다.

　이번 증설은 페이즈1 구축 당시 건물을 완공해 놓았던 페이즈2에 대한 것으로, 페이즈1보다 1만장 가량 많은 월 3만5000장 규모를 목표로 하고 있다. 우시공장의 300㎜ 팹은 지난 7월 페이즈1이 가동되기 시작해, 현재 당초 예상보다 1∼2개월 앞당겨 월 2만5000장 양산능력을 확보하고 있다. 이에 따라 하이닉스는 이례적으로 페이즈1 가동후 불과 반년 남짓만에 300㎜ 추가 투자를 감행, 내년 하반기에는 우시공장의 생산능력이 월 6만장으로 확대될 전망이다.

　업계 한 관계자는 “이번 중국 C2 페이즈2 투자는 페이즈1 가동 당시부터 수립해 놓은 것으로 안다”며 “그러나 하이닉스 측은 이 증설투자가 최근 이천공장 신규팹 증설 인허가 문제와 관계가 있는 것이 아니냐는 외부의 오해를 피하기 위해 매우 조심하는 분위기”라고 말했다.

　하이닉스는 현재 중국 C2라인 이외에도 이천의 M10라인, 대만 프로모스 파운드리 등에서 300㎜ 생산체제를 구축해 놓고 있다. 하이닉스는 현재 이천 M10에 6만5000장, 프로모스 파운드리에 2만장, 중국 우시에 2만5000장 300㎜ 웨이퍼 생산능력을 갖추고 있다.

◆장비업계, 내년 상반기 최대 호황　

　반도체 장비업계는 하이닉스의 우시 공장 증설 발표로 내년 상반기에 최대 호황을 맞을 전망이다.

　하이닉스반도체의 우시공장 페이즈2는 내년 3월 크린룸 공사가 마무리되고, 장비 발주 및 셋업이 늦어도 내년 2분기 중에 끝날 예정이다.

　이에 앞서 삼성전자는 최근 가동에 들어간 15라인에 대한 추가 투자(페이즈2)와 200㎜인 11라인의 300㎜ 전환 투자, 미국 오스틴공장의 300㎜팹 건설 투자 등을 발표해 놓은 상태다. 이미 일부는 공사가 진행되고 있다.

　장비업계는 삼성의 장비 발주가 내년초부터 본격화될 것으로 전망하고 있으며, 하이닉스 추가 투자까지 이어져 기대감을 감추지 않고 있다. 장비업계 한 CEO는 “국내 반도체업계 투자에 따른 장비·설비 발주는 내년 1분기 절정을 이룰 것으로 예상된다”며 “내년에는 삼성전자를 중심으로 아직 일정이 확정되지 않는 추가 투자도 이어질 전망이어서 내년 장비업계 전망은 매우 밝다”고 말했다.

　심규호기자@전자신문, khsim@