삼성전자(대표 윤종용)는 40나노 이하 메모리 공정을 구현할 수 있는 기술인 소노스와 타노스를 개발했다고 세계적인 반도체학회인 ‘2006 VLSI 심포지엄’에서 19일 밝혔다.
소노스(Si-Oxide-Nitride-Oxide-Si)는 절연막질 데이터를 저장하는 전하기억소자로, 셀 간섭 현상 등으로 40나노 이하 초미세 공정을 개발하는 데 한계가 있는 기존 소자의 단점을 해결할 수 있어 주목받는 차세대 소자기술이다.
삼성전자가 이번에 발표한 ‘4비트 이중 소노스 기술’은 기존 2차원 구조의 소노스를 2단으로 쌓아 3차원 구조로 만든 것으로, 셀 당 4 개의 데이터를 저장할 수 있는 기술이다. 신공정이나 신물질은 도입하지 않고도 원하는 특성을 획득할 수 있는 장점이 있다. 또 삼성전자는 소노스보다 쓰기와 지우기 특성을 향상할 수 있는 타노스(Ta-AlO-Nitride-Oxide-Si) 개발에 대한 논문을 발표해 주목을 받기도 했다. 타노스는 소노스 소자 막질 중 윗 부분의 실리콘(Si) 대신 탄탈룸나이트라이드(TaN)와 고유전 물질(AlO)을 적용한 신소자다.
삼성전자 측은 “소노스의 구조를 개선하고 새로운 소자인 타노스를 개발, 향후 반도체 개발 3대 과제인 초미세화, 대용량화, 고성능화의 해법을 제시할 수 있게 됐다”고 말했다.
이번 VLSI 학회에서 이들 논문을 포함해 삼성전자의 논문이 총 19건 채택되면서, 삼성전자는 4년 연속 최다 논문 채택이라는 타이틀을 거머쥐었다.
VLSI 학회는 1981년 창설, IEDM (International Electron Device Meeting), ISSCC(International Solid State Circuits Conference) 등과 함께 세계 3대 학회로 꼽히는 권위 있는 반도체 학회다.
문보경기자@전자신문, okmun@
